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J-GLOBAL ID：200903022194391250

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 荒木 仁 ,  角田 弘昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993170060
Publication number (International publication number)：1995030000
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】メモリ内部に可動イオンの濃度の高い汚染源がある場合でも、セルアレイ外部からセルアレイ内へ侵入してくる可動イオンをセルアレイの外周部で捕獲し、メモリセルの電荷保持特性を改善し得る不揮発性半導体メモリを提供する。【構成】不揮発性メモリセルQがマトリクス状に配列され、配列外周部のメモリセルは通常のデータ記憶には使用されないダミーセルとして形成され、ダミーメモリセル以外のメモリセルが通常のデータ記憶に使用されるセルアレイと、このセルアレイ内のロウ方向の各外周部における少なくとも1行およびカラム方向の各外周部における少なくとも1列のダミーセルの電荷蓄積領域に電荷を注入することにより、そのダミーセルの閾値がセルアレイ内のデータ記憶用のメモリセルの閾値とは異なるように設定するダミーセル閾値設定回路13とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成されたソース・ドレイン領域および半導体基板上に積層された電荷蓄積領域・制御ゲート電極を有するMOSトランジスタを用いた不揮発性メモリセルがマトリクス状に配列され、配列外周部のメモリセルは通常のデータ記憶には使用されないダミーセルとして形成され、ダミーメモリセル以外のメモリセルが通常のデータ記憶に使用されるセルアレイと、このセルアレイ内のロウ方向の各外周部における少なくとも1行およびカラム方向の各外周部における少なくとも1列のダミーセルの閾値がセルアレイ内のデータ記憶用のメモリセルの紫外線消去状態での閾値とは異なるように設定し得るダミーセル閾値設定回路とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434