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J-GLOBAL ID：200903022199990976

光電変換材料用半導体、光電変換素子および太陽電池

Inventor： 大津 信也 ,  大福 幸司 ,  香川 宣明
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003180739
Publication number (International publication number)：2005019124
Application date： Jun. 25, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】本発明の目的は、高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供することである。【解決手段】下記一般式(1)又は一般式(2)で表される複素環化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】【化2】【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)又は一般式(2)で表される複素環化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。

IPC (2)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (20)：

5F051AA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F051KA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20 ,  5H032HH01