集積回路の銅インタコネクション晶種層の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保田耕平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001309201
Publication number (International publication number)：2003113479
Application date： Oct. 04, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】製造コストが低く、信頼性の高い集積回路の銅インタコネクション晶種層の沈着方法を提供する。【解決手段】集積回路の拡散抑止層に、置換メッキで、後続の電気メッキで微細なホールを充填する場合に必要とする導電層となる晶種層を沈着させる方法において、?@0.2-20g/lのパラジウムイオン化合物、0.6-60g/lのハロゲンイオン化合物、0.9-9g/lの無機酸及び10-1000ppmの界面活性剤の配合によってメッキ液を調製し、?A拡散抑止層材料を沈着した基材を該メッキ液に1から20分間浸し、該メッキ液のpH値を約1から7とし、温度を20から70°Cとすることを特徴とする集積回路の銅インタコネクション晶種層の形成方法。

Claim (excerpt)：

集積回路の拡散抑止層(diffusion barrier layer)に、置換メッキで、後続の工程である電気メッキを施して微細なホールを充填する場合に必要とする導電層となる晶種層を沈着させて形成する方法において、次に掲げる?@と?Aの工程を含んでなり、?@の工程において、0.2-20g/lのパラジウムイオン化合物、0.6-60g/lのハロゲンイオン化合物、0.9-9g/lの無機酸及び10-1000ppmの界面活性剤の配合によってメッキ液を調製し、?Aの工程において、拡散抑止層材料を沈着した基材を該メッキ液に1から20分間浸し、該メッキ液のpH値を約1から7とし、温度を20から70°Cとすることを特徴とする集積回路の銅インタコネクション晶種層の形成方法。

IPC (6)：

C23C 18/42 , C23C 18/16 , C25D 5/34 , C25D 7/12 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (8)：

C23C 18/42 , C23C 18/16 B , C25D 5/34 , C25D 7/12 , H01L 21/288 E , H01L 21/288 Z , H01L 21/88 M , H01L 21/88 R

F-Term (61)：

4K022AA01 , 4K022AA41 , 4K022BA01 , 4K022BA18 , 4K022BA31 , 4K022DA03 , 4K022DB01 , 4K022DB04 , 4K022DB07 , 4K022DB08 , 4K022EA04 , 4K024AA09 , 4K024AB17 , 4K024AB19 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024DA08 , 4K024GA16 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104HH05 , 4M104HH14 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033PP35 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX28 , 5F033XX34

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