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J-GLOBAL ID:200903022215124214
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 隆司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002275029
Publication number (International publication number):2003192665
Application date: Sep. 20, 2002
Publication date: Jul. 09, 2003
Summary:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。【化1】(Rは水素原子、又は炭素数1〜4の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基、又は炭素数6〜14の置換もしくは非置換のアリール基を示す。pは1又は2であり、qは0又は1で、p+q=2を満足する。nは0又は1であり、mは3〜11の整数である。kは0〜4の整数である。)【効果】 本発明によれば、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を与える。
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。【化1】(式中、Rは同一でも異なってもよく、水素原子、又は炭素数1〜4の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基、又は炭素数6〜14の置換もしくは非置換のアリール基を示す。pは1又は2であり、qは0又は1で、p+q=2を満足する。nは0又は1であり、mは3〜11の整数である。kは0〜4の整数である。)
IPC (4):
C07C381/14
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (4):
C07C381/14
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
F-Term (21):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4H006AA01
, 4H006AB40
, 4H006TN30
, 4H006TN90
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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感放射線性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-189479
Applicant:三菱化学株式会社
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感放射線性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-134535
Applicant:三菱化学株式会社
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基板依存性改善剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-161501
Applicant:和光純薬工業株式会社
-
新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-174945
Applicant:信越化学工業株式会社
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特開平4-251259
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ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-041718
Applicant:信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
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スルホン酸エステル化合物およびその用途
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-290093
Applicant:住友化学工業株式会社
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