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J-GLOBAL ID：200903022219564162

半導体装置の故障解析方法及びその故障解析装置

Inventor： 植木 武美 ,  中島 蕃
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993067720
Publication number (International publication number)：1994281700
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多層配線によって構成された半導体装置の故障において、故障個所の絞り込みを迅速に行うことを目的とする。【構成】 半導体装置(1)を載置する試料ステージ(13)と、前記半導体装置(1)の表面に塗布された温度変化により相転移を起こす温度変化型液晶と、前記半導体装置(1)からの微弱光を検出するための発光検出光学系(2,3)及び前記温度変化型液晶の相転移を検出するための発熱検出光学系(2,4,5,6,7,8,9)とが対物光学系(2)を共有する顕微鏡と、前記顕微鏡を光軸方向に移動自在及び光軸に対し垂直な面内で二次元的に移動自在に支持し、その二次元的な座標を正確に読取可能なカメラステージ(12)と、前記発光検出光学系及び発熱検出光学系により得られた発光画像及び発熱画像と、予め取得したLSIのイメージ画像とを合成処理する画像処理装置(10)と、前記画像処理装置により合成された画像を表示するモニタ(11)とから構成される。

Claim (excerpt)：

半導体装置表面に温度変化により相転移を起こす温度変化型液晶を塗布する工程と、同一の対物光学系を共有する顕微鏡により前記半導体装置から発生する微弱光の発光個所を検出すると共に前記温度変化型液晶の相転移した発熱個所を検出する工程と、前記顕微鏡を光軸方向に対し垂直な面内で二次元的に移動させて、その二次元的な座標を正確に読み取る工程と、設計データに基づいて前記発光個所及び発熱個所の回路的接続関係を解析する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の故障解析方法。

IPC (3)：

G01R 31/28 ,  G02B 21/00 ,  H01L 21/66