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J-GLOBAL ID：200903022220039837

半導体素子封止用封止ラベル

Inventor： 堀田 祐治
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 倉内 義朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997282311
Publication number (International publication number)：1998214925
Application date： Oct. 15, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 特殊な金型等を用いることなく、封止後の樹脂内にボイドが生じにくい半導体装置封止用封止ラベルを提供する。【解決手段】 金属箔または耐熱性有機フィルムからなる基材1上に封止材成分層2を設け、その封止材成分層2は、基材1の周縁部に比して中央部分が厚い凸状に形成した構造とすることにより、成形工程における封止材成分の流動時に、周囲の気体を巻き込むことなく封止材成分の移動によってその周辺に押しやり、金型の周囲から抜けるようにする。

Claim (excerpt)：

金属箔基材上または耐熱性有機フィルム基材上に、半導体素子を封止するための封止材成分層が設けられているとともに、その封止材成分層は、当該基材の周縁部に比して中央部が厚い平坦部を有する凸状に形成されている事を特徴とする半導体素子封止用封止ラベル。

IPC (3)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/00

FI (3)：

H01L 23/28 H ,  H01L 21/56 C ,  H01L 23/00 A