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J-GLOBAL ID：200903022220444073

光半導体装置の作製方法

Inventor： 森 英史 ,  山田 武 ,  佐々木 徹 ,  太刀川 正美
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273733
Publication number (International publication number)：1996136762
Application date： Nov. 08, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光半導体装置の光ファイバとの接続を高精度かつ容易にする。【構成】 同一のマークを基準にして、光ファイバを載置するV溝と光デバイスとを作製する。

Claim (excerpt)：

Siウエハ上にIII-V 族化合物半導体結晶が配置された基板を作製する工程と、作製しようとする光素子とV溝の位置合わせのためのマークを作製する工程と、該マークを基準に光素子を作製する工程と、該マークを基準に該SiウエハにV溝を作製する工程と、該V溝に光ファイバを載置して固定する工程、とを有することを特徴とする光半導体装置の作製方法。

IPC (2)：

G02B 6/30 ,  G02B 6/42