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J-GLOBAL ID：200903022222163489

単分子膜の製造方法及び単分子累積膜の製造方法

Inventor： 佐野 健二 ,  町田 茂 ,  森 寧
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992052446
Publication number (International publication number)：1993307179
Application date： Mar. 11, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板に対する分子の結合力が強く、しかも分子が同一方向に配向した単分子膜及び単分子累積膜を製造する。【構成】基板の表面を処理して反応性を与え、長さが15オングストローム以上である剛直な分子骨格の両端に2つの官能基を有する分子を用い、これら2つの官能基のうち一方を基板の表面と反応させて第1層の単分子膜を形成し、更に長さが15オングストローム以上である剛直な分子骨格の両端に2つの官能基を有する分子を用い、これら2つの官能基のうち一方を下層の単分子膜を構成する分子の他方の官能基と反応させて上層の単分子膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板の表面を処理して反応性を与える工程と、長さが15オングストローム以上の剛直な分子骨格の両端に少なくとも1つの官能基を有する分子を用い、前記官能基を前記基板の表面と反応させる工程とを具備したことを特徴とする単分子膜の製造方法。

IPC (12)：

G02F 1/1337 ,  G02F 1/1337 520 ,  B01J 19/00 ,  B05D 1/20 ,  B32B 9/00 ,  C08J 5/18 ,  C09D 5/00 PPF ,  C09D125/18 PFB ,  C09D129/04 PFL ,  C09K 3/00 ,  C23C 14/24 ,  C09K 11/00