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J-GLOBAL ID：200903022222913380
ドライエッチング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330295
Publication number (International publication number)：1995193046
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】マグネトロン型ドライエッチング装置のプラズマ中の電子分布を均一化し、プラズマの密度分布を均一にする。【構成】被エッチング基板11に平行に磁界14を印加し、その磁界と垂直でかつ、被エッチング基板11に平行な電界を印加してエッチングする。電子は基板面内方向でどちらかに片寄るのではなく、基板に垂直方向に片寄る。そのため基板面内での電子分布の片寄りはなく均一な電子分布となりプラズマの密度も均一となる。従ってイオンの斜め入射や、素子損傷を緩和できる。
Claim (excerpt)：
被エッチング材料を置いた基板に平行に磁界を印加し、しかも、その磁界と垂直でかつ基板に平行な高周波電界を印加することを特徴とするマグネトロン型ドライエッチング装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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