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J-GLOBAL ID：200903022234924329
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992035980
Publication number (International publication number)：1993235468
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 光ディスクなどの光源として用いる低電流動作、低雑音の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 Ga1-XAlXAs活性層4の少なくとも一方の面に形成されリッジ5aを有する一導電型のGa1-YAlYAs層5と、リッジ5aの長手方向の側面に沿って形成された逆導電型のGa1-ZAlZAs層6とを備え、AlAs混晶比を決めるX、YおよびZの間にZ>Y>X≧0なる関係を有し、かつこれら各層の内n型であるGaAlAs層に不純物としてSiを添加した。
Claim (excerpt)：
Ga1-XAlXAs活性層の少なくとも一方の面に形成されたリッジを有する一導電型のGa1-YAlYAs層と、前記リッジの長手方向の側面に沿って形成された逆導電型のGa1-ZAlZAs層とを備え、AlAs混晶比を決めるX、YおよびZの間にZ>Y>X≧0なる関係を有し、かつ前記各層の内n型であるGaAlAs層に不純物としてSiを添加したことを特徴とする半導体レ-ザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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