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J-GLOBAL ID：200903022235203250

半導体装置の寿命推定方法および信頼性シミュレーション方法

Inventor：
小池 典雄

About 小池 典雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002151446
Publication number (International publication number)：2003347551
Application date： May. 24, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基板電流の測定が不可能なMOSトランジスタを対象として、ホットキャリア劣化率が最大となる条件での寿命を精度よく推定する寿命推定方法、及び、少数のトランジスタを用いて短期間でホットキャリア寿命パラメータを求めることが可能な回路特性劣化のシミュレーション方法を提供する。【解決手段】 τを寿命、IpをMOSトランジスタの発光の光量強度、Idをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ Ip-m・Idm-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。また、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[Ipm・Id2-m]dtの特徴を持ったホットキャリア劣化のシミュレーションモデル式により、信頼性シミュレーションを行う。
Claim (excerpt)：
MOSトランジスタを対象とする寿命推定方法であって、τを寿命、Ipを前記MOSトランジスタの発光の光量強度、Idをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ Ip-m・Idm-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定することを特徴とする半導体装置の寿命推定方法。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78
FI (3)：
H01L 29/00 ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 301 Z
F-Term (11)：
5F110AA25 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F140AA23 ,  5F140AA37 ,  5F140DB04 ,  5F140DB06 ,  5F140DB10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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