Pat

J-GLOBAL ID：200903022239436390

圧電素子及びその製造方法

Inventor： 内野 研二 ,  ジャオ-ホン ドゥ ,  ウマ ベレグンドゥ ,  川畑 達央 ,  後藤 博史 ,  松本 幹雄
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998048951
Publication number (International publication number)：1999233844
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 PZTを用いた圧電素子において、PZTの圧電定数を従来よりさらに大きな値にし、また相境界付近における結晶構造のばらつきに由来する圧電定数のばらつきをなくすことにより、圧電素子の特性を安定かつ良好にする。【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する菱面体晶組成のPZT[例えば、Pb(Zr0.6Ti0.4)]の両面に電極を形成した圧電素子において、PZTの[100]方向、[010]方向又は[001]方向が電極面とほぼ垂直な方向を向くようにPZTを結晶配向させた。

Claim (excerpt)：

PZTと電極を備えた圧電素子であって、前記PZTは、そこに含まれるZrとTiが室温において菱面体晶となる組成比のペロブスカイト構造であって、その[100]方向、[010]方向又は[001]方向が前記電極面にほぼ垂直となるように結晶配向していることを特徴とする圧電素子。

IPC (4)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/24

FI (4)：

H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-005874
  
• 酸化物強誘電薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-305125   Applicant：株式会社ニコン
• 圧電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-137892   Applicant：セイコーエプソン株式会社