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J-GLOBAL ID：200903022240967218

多層磁気抵抗効果膜、それを用いた磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド

Inventor： 星野 勝美 ,  中谷 亮一 ,  濱川 佳弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993207447
Publication number (International publication number)：1995066036
Application date： Aug. 23, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、面心立方構造を有する磁性層間の交換相互作用を弱め、多層膜の感度を高くする方法を提供することにある。【構成】 Ti,Zr,Hfなどの稠密六方構造を有する非磁性合金からなるバッファ層を形成した多層磁気抵抗効果膜において、Cu膜厚を2.5nm〜3.3nmの領域に設定することにより、磁気抵抗変化率を大きく低減することなく磁性層間の交換相互作用を低下させた。磁化の向きの制御は、反強磁性層からの交換バイアス磁界を用いた。また、上記多層磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置に用いた。【効果】 本発明の多層磁気抵抗効果膜は低い飽和磁界および高い磁気抵抗変化率を示す。また、上記多層磁気抵抗効果膜を使用した磁気ヘッドは、優れた再生特性を示した。また、上記磁気ヘッドを磁気記録再生装置に用いることにより、高性能磁気記録再生装置が得られた。

Claim (excerpt)：

2層以上の磁性層を非磁性層で分割し、少なくとも1層の磁性層に反強磁性層からの交換バイアス磁界が印加されており、少なくとも1層の磁性層に反強磁性層からの交換バイアス磁界は直接には印加されていない多層膜を用いた多層磁気抵抗効果膜において、上記非磁性層が、CuあるいはCuを主成分とする合金からなることを特徴とする多層磁気抵抗効果膜。

IPC (6)：

H01F 10/30 ,  C23C 14/14 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/02 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08