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J-GLOBAL ID：200903022250024923

半導体装置の製造方法およびその製造装置

Inventor： 品川 啓介
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993334014
Publication number (International publication number)：1995201813
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおける、酸素プラズマを用いたダウンフロー式レジストアッシングの方法及び装置に関し、アッシングレートが経時的に変化せず、且つ従来より高いアッシングレートを得ることができる方法および装置を実現することを目的とする。【構成】酸素プラズマを使用するダウンフロー式レジストアッシングを行う際に、プラズマ発生室5内ではなく、ダウンフロー室11内であって電子温度が4eV以上である領域に、CF4 等のフッ素系ガスを導入し、更に、マイクロ波透過窓4に石英製のものを使用する構成とする。

Claim (excerpt)：

酸素プラズマを使用するダウンフロー式レジストアッシングを行う際に、ダウンフロー室(11)内であって、フッ素系ガスを解離するに十分なエネルギーを有する荷電粒子が存在する領域に、フッ素系ガスを導入することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-160162
  
• 特開平2-091937
  
• 特開昭63-120424