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J-GLOBAL ID：200903022256845880
高誘電率材料へのコンタクト構造および形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994060931
Publication number (International publication number)：1994326250
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 コンデンサー誘電体等の高誘電率材料への進歩した電気的接続法を提供する。【構成】 本発明の好適実施例は、導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層34と前記ペロブスカイト層を覆ってそれに対して化学的、構造的に安定な電気的接続を提供する高誘電率材料の層36とを含む。導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイトは一般に、未ドープ、アクセプタードープ、あるいは高濃度にドナーをドープされたHDC材料と比べてずっと低い抵抗率を有する。材料を導電性(または抵抗性)にするためのドナードーピング量は通常、プロセス条件に依存する。この抵抗率はペロブスカイトを還元環境に曝すことによって更に低下する。ペロブスカイトは高誘電率材料と同じ方法によって堆積およびエッチできる。
Claim (excerpt)：
ミクロ電子構造を形成する方法であって、次の工程:(a)導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層を形成すること、および(b)前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層の上に高誘電率材料の層を形成すること、を含み、それによって、前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層が前記高誘電率材料の層に対して化学的および構造的に本質的に安定な電気的接続を提供している方法。
IPC (2)：
H01L 27/04
, H01G 4/06 102
Cited by examiner (6)
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