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J-GLOBAL ID：200903022261494301
配線の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991294311
Publication number (International publication number)：1993136280
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 アルミニウム配線における粒界拡散を防止し、ストレスマイグレーション(SM)耐性,エレクトロマイグレーションEM耐性も改善する。【構成】 基板上のSiO2膜1上に高温スパッタ法により、大粒径のアルミニウム結晶で構成されるアルミニウム膜2を形成し、これをパターニングして配線パターンを形成する。次に、アルミニウム配線の粒界をリン酸と硝酸を用い、温度40°C、時間10〜20秒間の条件でウェットエッチングし、アルミ粒界を間隔を有する粒界部2Bとする。次に、この粒界部2B及びAl配線の外周2Cにタングステン4をブランケットCVD法により形成する。このようにして、アルミニウムの粒界及び配線外周面にタングステン4が成長し、アルミニウムの粒界拡散を抑えることができる。また、アルミニウム膜2の結晶粒径が大きいため、SM,EMに対して有利となる。
Claim (excerpt)：
アルミニウム配線パターンを形成した後、アルミニウムの粒界を選択的にエッチングし、少なくとも該粒界部に異種金属を形成することを特徴とする配線の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/90
, H01L 21/205
, H01L 21/306
, H01L 21/3205
H01L 21/88 B
, H01L 21/88 R
