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J-GLOBAL ID：200903022263033506

弾性表面波素子の電極形成方法

Inventor： 櫻井 敦
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 西澤 均
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993339293
Publication number (International publication number)：1995162255
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 構造欠陥が極めて少なく、高い印加電力レベルで使用した場合にも優れた耐ストレスマイグレーション特性を有する電極を形成する。【構成】 蒸着、スパッタ、IBS(Ion Beam Sputtering)、CVD(Chemical Vapor Deposition)、プラズマCVD、MBE(Molecular Beam Epitaxy)、ICB(Ionized Cluster Beam)、レーザーアブレーションなどの成膜方法を用いた成膜プロセスにおいて、所定のイオンエネルギーでイオンアシストを行いつつ、結晶方位的に一定方向に配向するように、電極材料を圧電基板上に成膜させる。

Claim (excerpt)：

弾性表面波素子を構成する圧電基板上に電極を形成する方法であって、薄膜成膜方法を用いた成膜プロセスにおいて、所定のイオンエネルギーでイオンアシストを行いつつ、結晶方位的に一定方向に配向するように、電極材料を圧電基板上に成膜させることを特徴とする弾性表面波素子の電極形成方法。