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J-GLOBAL ID：200903022263276760

半導体装置の素子間分離方法

Inventor： 滝沢 正明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993072546
Publication number (International publication number)：1994283522
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】バーズビークの成長を抑制した素子間分離法を提供する。【構成】半導体基板1上に該半導体基板1へのストレスを緩和するため熱酸化し熱酸化膜2を形成する工程と、上記熱酸化膜2上に、パッドポリシリコン膜3を形成する工程と、上記パッドポリシリコン膜上に酸化マスクとしてのシリコン窒化膜(I)4を形成する工程と、パターニングし素子領域上にシリコン窒化膜(I)4aを形成する工程と、上記素子領域上のシリコン窒化膜(I)4aの側壁に酸化マスクとしてのシリコン窒化膜(II)5aを形成する工程と、上記シリコン窒化膜(I)4aおよびシリコン窒化膜(II)5aをマスクとして、上記熱酸化膜2およびパッドポリシリコン膜を除去する工程と、熱酸化し上記素子間分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、上記シリコン窒化膜(I)4a、シリコン窒化膜(II)5a、熱酸化膜2およびパッドポリシリコン膜3を除去する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に該半導体基板へのストレスを緩和するため熱酸化し熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜上に、前記半導体基板へのストレスを緩和し、酸素雰囲気中での熱酸化において素子領域に酸素が透過しない特性を有するバッファ膜を形成する工程と、前記バッファ膜上に酸化マスクとしての第1絶縁膜を形成する工程と、素子領域上の前記第1絶縁膜を残存し、素子間分離領域上の前記第1絶縁膜を除去する工程と、前記素子領域上の第1絶縁膜側壁に酸化マスクとしての第2絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜および第2絶縁膜をマスクとして、前記熱酸化膜およびバッファ膜を除去する工程と、前記第1絶縁膜および第2絶縁膜を酸化マスクとして熱酸化し前記素子間分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜、第2絶縁膜、熱酸化膜およびバッファ膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の素子間分離方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76