Pat
J-GLOBAL ID：200903022264142147
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253239
Publication number (International publication number)：1993094960
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高密度集積回路において、パーティクルに起因する素子-金属配線層間あるいは金属配線層同士間の接続不良の発生を防止し、配線の加工精度の向上を図る。【構成】 半導体基板上の層間絶縁膜に素子の信号接続部に向けてコンタクト窓8を開口し、露出したシリコン面を酸化性溶液で処理することで薄い保護用酸化膜1を形成し、この上にチタン等の還元性金属膜110を堆積した後、チタンタングステン等の高融点金属膜111やアルミニウム合金膜112からなる配線用金属膜を重ねて堆積し、写真食刻法により電極を形成した後、熱処理により多層金属膜を合金化して、薄い保護用酸化膜を還元,消失させる。これにより、パーティクルの付着を防止し、コンタクト抵抗を良好に維持する。多層の金属配線層を有する半導体装置のバイヤホールに対しても、同様の保護用酸化膜を形成する方法を採用できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主面に設けられた素子を被覆する層間絶縁膜に、上記素子の信号接続部に向けてコンタクトホールを開口する工程と、上記素子の信号接続部のコンタクトホール内で露出した表面を酸化性溶液に浸漬することにより薄い保護用酸化膜を形成する工程と、該保護用酸化膜の上にチタン等の還元性金属膜を堆積する工程と、該還元性金属膜に重ねて、アルミニウム合金等の電気配線用金属膜を堆積する工程と、上記各金属膜からなる多層金属膜を写真食刻法により食刻して電極パターンを形成する工程と、上記多層金属膜を熱処理して合金化する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/28
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
, H01L 21/283
