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J-GLOBAL ID：200903022270980057
半導体容量式圧力変換器
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235926
Publication number (International publication number)：1993072070
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】半導体式圧力センサの出力特性の直線性及び検出精度の向上を計る。【構成】ダイヤフラム部に検出用の薄肉部を設けた。【効果】ダイヤフラムの周縁部の剛性はばらつきによる出力特性の歪みや、精度の低下が防止できる。
Claim (excerpt)：
シリコン基板をエッチングして、ダイヤフラム状に形成し、その中央部に容量検出用の凹みを設けた半導体基板とその上面に相対する電極を設けたガラス基板により圧力に比例した出力が検出されるものにおいて、シリコン基板のダイヤフラム径と容量検出用凹み径との比が0.7 以下であることにより非直線誤差(NL:Non Lineality)を向上させることを特徴とした半導体容量式圧力変換器。
IPC (2)：
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