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J-GLOBAL ID：200903022278022250

強誘電体素子

Inventor： 加藤 晃次
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149520
Publication number (International publication number)：1993343612
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 強誘電体が2つの電極によって挟まれた構造を有する強誘電体素子において、疲労特性と2つの電極間の絶縁耐圧を向上させる。【構成】 少なくとも一方の電極の周辺部分と、強誘電体膜205との間に、常誘電体層204を積層する。また、前記常誘電体層の厚みを、前記電極の周辺部分から中心部に向かって、連続的に小さくする。【効果】 電極周辺部での電界集中が緩和される。

Claim (excerpt)：

強誘電体を基質とする薄膜が2つの電極によって挟まれた構造を有する強誘電体素子において、前記電極のうち少なくとも一方の電極の、少なくとも周辺部分と前記強誘電体を基質とする薄膜との間に、常誘電体層を有することを特徴とする強誘電体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体キヤパシタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-287589   Applicant：ローム株式会社
• 特開平4-099365
  
• 特開平3-019372