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J-GLOBAL ID:200903022287073495

注入形発光素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 恩田 博宣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991190388
Publication number (International publication number):1993037013
Application date: Jul. 30, 1991
Publication date: Feb. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 新規なシリコンを用いた注入形発光素子を提供することにある。【構成】 直接遷移型多孔質シリコン8はpn接合を有する。直接遷移型多孔質シリコン8のpn接合の両側には、電極10,11が配置されている。そして、電極間の電圧印加により、直接遷移型多孔質シリコン8に少数キャリアの注入が起こりpn接合部でキャリアの再結晶が起こり発光する。
Claim (excerpt):
pn接合を有する直接遷移型多孔質シリコンと、前記直接遷移型多孔質シリコンのpn接合の両側に配置された電極とを備えたことを特徴とする注入形発光素子。

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