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J-GLOBAL ID：200903022343445473

高臨界電流特性を有する超電導線材

Inventor： 川畑 武
Applicant, Patent owner： 川畑 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002184119
Publication number (International publication number)：2004031550
Application date： Jun. 25, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】常電導体、常磁性体、又は、超常磁性体粒子サイズ、及び、粒子間隔を制御することにより、高臨界電流、及び、高臨界磁界を有する高性能超電導体、又は、超電導線材を作製すること。【解決手段】量子化された磁力線を、強固にピン止めする、常電導体、常磁性体、又は、超常磁性体超微細粒子を、メタル・オーがニック・ケミカル・ヴェイパー・デポジション法(MOCVD法)、モレキュラー・ビーム・エピタキシ-法(MBE法)、スパッター法、溶融金属蒸着法、又は、レーザー・ビーム・アブレイション法(LA法)等を用いて、使用する最大の外部磁場の強さに対応する間隔で、超電導体界面、及び、超電導体内に作成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

超伝導体と安定化材の界面、及び、超電導体中に、使用温度で常電導体である、第2相粒子の直径dが、1nm≦d≦5nm、第2相粒子の厚さtが、0.5nm≦t≦5nm、超電導層面内第2相粒子間隔aが、5nm≦a≦10nm、超電導層厚さ方向第2相粒子間隔bが、5nm≦b≦10nmの範囲にはいる条件で、分散させた超電導体、及び、超電導体線材。

IPC (3)：

H01L39/24 ,  H01B12/00 ,  H01L39/02

FI (3)：

H01L39/24 D ,  H01B12/00 ,  H01L39/02 D

F-Term (16)：

4M113AC06 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113BA14 ,  4M113BA18 ,  4M113CA31 ,  4M114AA29 ,  4M114DB62 ,  5G321AA01 ,  5G321AA11 ,  5G321AA12 ,  5G321CA13 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321DB33