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J-GLOBAL ID：200903022343629647

不純物ドーピング量測定方法および装置

Inventor： 土生 俊也
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993210133
Publication number (International publication number)：1995063667
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体製造においてイオン注入工程、拡散工程を中断することなく、また試料を損傷することなく、従来に比べて容易に不純物ド-ピング量を求める。【構成】 変調された励起光Lが照射された試料5の箇所に、白色光(プロ-ブ光)Pを照射して反射スペクトルを検出する。この反射スペクトルから求めたバンドギャップ量と不純物ド-ピング量とは相関関係があり、既知デ-タを用いた検量線から不純物のド-ピング量を検出する。

Claim (excerpt)：

試料表面にプロ-ブ光を照射するとともに、このプロ-ブ光の照射位置に変調励起光を照射し、変調に同期した試料表面からの反射光から反射スペクトルを検出し、この反射スペクトルから求めた試料のバンドギャップ量と不純物ド-ピンング量との相関関係から不純物ド-ピング量を測定することを特徴とする不純物ド-ピング量測定方法。

IPC (3)：

G01N 21/00 ,  G01J 3/433 ,  H01L 21/66