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J-GLOBAL ID：200903022353383247

半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、および化学機械研磨方法

Inventor： 内倉 和一 ,  元成 正之 ,  服部 雅幸 ,  川橋 信夫
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000003340
Publication number (International publication number)：2001196336
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 十分に平坦化された良好なダマシン配線を形成しうる半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びそれを用いる化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】 化学機械研磨用水系分散体は、銅膜、バリアメタル膜、並びに絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記バリアメタル膜の研磨速度(RBM)との比(RCu/RBM)が0.5〜2であり、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記絶縁膜の研磨速度(RIn)との比(RCu/RIn)が0.5〜2であることを特徴とする。化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いる。

Claim (excerpt)：

銅膜、バリアメタル膜、並びに絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記バリアメタル膜の研磨速度(RBM)との比(RCu/RBM)が0.5〜2であり、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記絶縁膜の研磨速度(RIn)との比(RCu/RIn)が0.5〜2であることを特徴とする半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。

IPC (5)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00

FI (6)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00

F-Term (8)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-112947   Applicant：株式会社トクヤマ