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J-GLOBAL ID：200903022353898450

多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法

Inventor： 青井 信雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999017914
Publication number (International publication number)：2000216153
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 簡単な工程により且つ低いコストで比誘電率が2以下である多孔質膜を形成できるようにする。【解決手段】 真空チャンバー内に、シリコンアルコキシドとしてのビニルトリメトキシシランが気化してなるガスと、有機化合物のガスとしてのアセチレンガスとの混合ガスを導入すると共に、該混合ガスからなるプラズマを発生させることにより、基板上に有機無機複合膜を堆積する。次に、真空チャンバー内に、水素ガスと窒素ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入すると共に、該混合ガスからなるプラズマを発生させることにより、有機無機複合膜に対して水素プラズマ処理を行なう。これによって、有機無機複合膜の有機成分が揮発し、有機成分が揮発した跡に多数の細孔が形成されるので、有機無機複合膜からなる多孔質膜が得られる。

Claim (excerpt)：

シリコンアルコキシドと有機化合物との混合ガスを反応性ガスとするプラズマCVD法により、基板上に有機無機複合膜を堆積する工程と、前記有機無機複合膜に対して還元性ガスを含むガスからなるプラズマを用いるプラズマ処理を行なうことにより、前記有機無機複合膜からなる多孔質膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする多孔質膜の形成方法。

F-Term (17)：

5F058AA10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 集積回路誘電体及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-147773   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 層間絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-227736   Applicant：松下電器産業株式会社