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J-GLOBAL ID：200903022364508734

半導体基板の研磨方法

Inventor： 柴山 卓真
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992165123
Publication number (International publication number)：1994000761
Application date： Jun. 23, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 平坦度のよいウェーハの研磨方法を提供する。【構成】 キャリア2に挿入したウェーハ1を上定盤3と下定盤5に挟圧した状態で回転させて、所定の温度に冷却した研磨剤7をノズル6から滴下しながら研磨することにより、平坦度のよいウェーハ研磨を実現する。

Claim (excerpt)：

キャリアに挿入した半導体基板を上定盤と下定盤に挟圧した状態で回転させて研磨剤を滴下しながら研磨する際に、前記研磨剤を冷却することを特徴とする半導体基板の研磨方法。

IPC (3)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304