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J-GLOBAL ID：200903022368251622

プラズマ処理装置

Inventor：
スニル ウィクラマナヤカ

About スニル ウィクラマナヤカ


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999361964
Publication number (International publication number)：2001181848
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 上部電極の特別な内面構造と、より良い磁界とを用いることによって処理されるべき基板に近い下流側で大面積でかつ半径方向に均一なプラズマを作ることのできるプラズマ処理装置。【解決手段】上部電極11の内面はプラズマ閉じ込め領域22を備えるプラズマ閉じ込め構造を有し、領域22で高密度プラズマが生成され、上部電極11にはrf電力が印加され、プラズマは上部電極11の近傍でプラズマ閉じ込め領域内に生成され、そしてそれは基板19に向って拡散し、プラズマ閉じ込め領域内に生成されたプラズマはプラズマ閉じ込め作用のため、高い密度を有し、大面積のプラズマは上部電極11に近いところでは半径方向に不均一のプラズマ密度の状態にあり、そして下流で半径方向に均一なプラズマ密度を有するようになる、プラズムに晒された内面を備えた容量結合型平行電極構造を有する、プラズマ処理装置。
Claim (excerpt)：
内面がプラズマに晒された上部電極を含む容量結合型平行電極構造を備えるプラズマ処理装置であり、前記上部電極の前記内面は複数のプラズマ閉じ込め領域を備えるプラズマ閉じ込め構造を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/02 ,  H05H 1/46
FI (5)：
C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/02 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平1-099213
  • 特開昭61-284572
  • 気相反応装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-126829   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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