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J-GLOBAL ID：200903022369671560

シリコン基板の製造方法およびシリコン基板

Inventor： 栗本 祐司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002152179
Publication number (International publication number)：2003347304
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 多結晶シリコン基板の拡散長の改善効果の高い欠陥不活性化方法を実現する。【解決手段】 シリコン基板表面に第二導電層を形成し、この第二導電層を除去することにより、第二導電層が除去されたシリコン基板表面に水素を照射する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板表面に第二導電層を形成する工程、該第二導電層を除去する工程、第二導電層が除去されたシリコン基板表面に水素を照射する工程を含むことを特徴とするシリコン基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/322 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/322 Z ,  H01L 21/322 R ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/324 X

F-Term (4)：

4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029GA00