積層型磁界検出素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997130713
Publication number (International publication number)：1998319103
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】直線性が良好で温度特性に優れた磁界検出素子を得る。【解決手段】素子100は、軟質磁性層211と、これを覆う導体層212を有する。軟質磁性層211は、磁化容易化軸が素子100の幅方向に向くように形成する。また、軟質磁性層211の下方には、絶縁層213を介し硬質磁性層214を設け、この硬質磁性層214によって、素子100に一定のバイアス磁界を印加する。この状態で、導体層212の両端に高周波電源101からの交流電流を印加し、素子のインダクタンス変化を検出する。この素子100のインダクタンスは、素子100の長さ方向の磁界に応じて変化するため、磁界を検出することができる。本発明は、バイアス磁界の印加により動作点が最適化され、かつ外部磁界によるインダクタンス変化を検出しているので、良好な磁界検出が行える。

Claim (excerpt)：

磁性体層とこの磁性体層に覆われた導体層とを含む線状の素子に対し、その長さ方向の両端に駆動用の高周波電流源と、電気信号の検出器を接続した構成を有し、かつ前記磁性層には素子幅方向に磁気異方性が付与されており、素子面に平行な磁界を素子のインピーダンスの変化として検出する積層型磁界検出素子において、素子の長手方向に直流磁界をバイアスする磁界バイアス手段を有することを特徴とする積層型時間検出素子。

IPC (2)：

G01R 33/02 , G01D 5/18

FI (2)：

G01R 33/02 D , G01D 5/18 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

積層型磁界検出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041766 Applicant：株式会社豊田中央研究所
磁気インピーダンス素子および磁気検出回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216212 Applicant：ミツミ電機株式会社, 毛利佳年雄

Cited by examiner (2)

積層型磁界検出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041766 Applicant：株式会社豊田中央研究所
磁気インピーダンス素子および磁気検出回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216212 Applicant：ミツミ電機株式会社, 毛利佳年雄

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