ドライエッチングの後処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995006474
Publication number (International publication number)：1996195377
Application date： Jan. 19, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】配線を形成する際のドライエッチングによって生じた堆積物の除去を完全に行なうことができるように改良された、ドライエッチングの後処理方法を提供することを目的とする。【構成】ウエハの上に形成された下地酸化膜8の上に被加工物層7を形成する。被加工物層7の上に、所定の形状を有するレジストパターン16を形成する。レジストパターン16をマスクにして、被加工物層7をドライエッチングする。レジストパターン16を除去する。ウエハに向けて、氷粒子4または液滴を噴射し、これによって、堆積物9を除去する。

Claim (excerpt)：

ウエハの上に被加工物層を形成する工程と、前記被加工物層の上に所定の形状を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして、前記被加工物層をドライエッチングする工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記ウエハに向けて、氷粒子を噴射する工程と、を備えたドライエッチングの後処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-227399 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-188828
特開平4-128390

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