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J-GLOBAL ID：200903022396300680

絶縁膜形成方法

Inventor： 松原 俊夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992236553
Publication number (International publication number)：1994061222
Application date： Aug. 11, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ECR-CVD法により低温で緻密な窒化珪素膜を形成する。【構成】 ECR-CVD法による窒化珪素膜形成において、シラン系の原料ガスとして、シランガスとアルゴンガスを、シランガスのシランガスとアルゴンガスとの和に対する比率が25〜50%となるように混合したガスを用いた。【効果】 形成温度が80°C以下でも緻密性の高い窒化珪素膜が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体表面に、電子サイクロトロン共鳴化学気相成長法(Electron Cyclotron Resonance-Chemical Vapor Deposition:ECR-CVD法)により第1の原料ガス中の窒素と第2の原料ガス中のシランを反応させて窒化珪素膜を形成する絶縁膜形成方法において、上記第2の原料ガスは、シランガスとアルゴンガスを、シランガスのシランガスとアルゴンガスとの和に対する比率が25〜50%となるように混合したガスであることを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31