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J-GLOBAL ID：200903022419503427

低温焼成多層回路基板

Inventor： 横山 明典 ,  林 善夫
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242975
Publication number (International publication number)：1994097667
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 耐マイグレーション性に優れ、グリーンシート焼成時に基板よりの酸化を受けないファインライン化可能な低温焼成多層基板ペースト及び低温焼成多層回路基板の開発。【構成】 Agx Cu1-x (0.02≦x≦0.35、原子比)で表され、表目の銀濃度が平均の銀濃度より高く、平均粒子径0.2〜30μmの銅合金粉末とガラスフリットよりなるペーストを用いて、グリーンシートに印刷し、多層化し、550〜1060°Cで同時焼成された低温焼成多層回路基盤。【効果】 耐マイグレーション性はもちろん、グリーンシートからの酸化も受けないため低温焼成多層による高密度化が可能である。

Claim (excerpt)：

一般式Agx Cu1-x (ただし、0.02≦x≦0.35xは原子比)で表され、且つ表面の銀濃度は平均の銀濃度より高く、粒子表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する平均粒子径0.2〜30μmからなる銅合金粉末100重量部に対して、ガラスフリット0.1〜20重量部、有機ビヒクルからなる低温焼成多層回路基板用ペースト。

IPC (2)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/09