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J-GLOBAL ID：200903022421863864

SOIMOSトランジスタを備えた半導体素子及び信号処理装置

Inventor： 鄭 武 京 ,  金 炳 善
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001314425
Publication number (International publication number)：2002185012
Application date： Oct. 11, 2001
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 SOI MOSトランジスタを備えた半導体素子及び作動特性が改善された信号処理装置を提供すること。【解決手段】 SOI構造を有するMOSトランジスタを備えた本発明による半導体素子及び信号処理装置は、メインMOSトランジスタとアシスタンスMOSトランジスタとを含む。メインMOSトランジスタは外部信号を受ける第1ゲート配線と、第1導電型の第1ソース/ドレイン領域と、ボディーとを含む。アシスタンスMOSトランジスタは第2ゲート配線と、第1導電型と反対である第2導電型の第2ソース/ドレイン領域とを含む。アシスタンスMOSトランジスタは外部信号によってボディーをフローティング状態またはグラウンディング状態に選択的に転換させる役割をする。第1ゲート配線と第2ゲート配線とは配線層によって相互に電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

外部信号を受ける第1ゲート配線と、第1導電型の第1ソース/ドレイン領域と、ボディーとを含むメインMOSトランジスタと、第2ゲート配線と、前記第1導電型と反対である第2導電型の第2ソース/ドレイン領域とを含んで、前記外部信号によって前記ボディーをフローティング状態またはグラウンディング状態に選択的に転換させるためのアシスタンスMOSトランジスタと、前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線とを電気的に接続させる配線層とを備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092

FI (9)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 27/04 G ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 321 C

F-Term (33)：

5F038AV06 ,  5F038CD04 ,  5F038CD07 ,  5F038DF01 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA09 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01 ,  5F048BE09 ,  5F048BF17 ,  5F048BF19 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA15 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE24 ,  5F110EE37 ,  5F110EE38 ,  5F110GG02 ,  5F110GG23 ,  5F110GG60