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J-GLOBAL ID：200903022429745976

半導体基板から炭化珪素を除去するための方法と装置

Inventor： フェリシア ハン ,  スリニヴァス ディ. ネマニ ,  シャンカー ヴェンカタラマン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001237979
Publication number (International publication number)：2002151505
Application date： Aug. 06, 2001
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板から炭化珪素を除去するための方法と装置。【解決手段】基板上の炭化珪素を酸化させてシリコン酸化物を形成し、その後にシリコン酸化物を基板から除去することによって、基板から炭化珪素を除去する。

Claim (excerpt)：

基板から炭素珪素を除去するための方法であって、炭化珪素を有する基板を提供するステップと、シリコン酸化物を形成するために前記炭化珪素を酸化させるステップと、前記シリコン酸化物を除去するステップとを有する方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 645

FI (3)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/304 645 C

F-Term (5)：

5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ10