Pat

J-GLOBAL ID：200903022431678410

半導体発光装置

Inventor： 佐伯 亮
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993181224
Publication number (International publication number)：1995038150
Application date： Jul. 22, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、電流拡散層における発光光の吸収を抑制して、高輝度化を達成し得る半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、GaAs基板1上に積層された半導体層に電流が供給されて発光する活性層4と、活性層4に電流を供給する電極7a,7bと、活性層4から放射された光を外部に取り出す光取り出し面側と活性層4との間に形成され、光取り出し面側に設けられた電極7aと活性層4との間を流れる電流を拡散させるZnTe(亜鉛テルル)からなる電流拡散層6とを有してなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に積層された半導体層に電流が供給されて発光する発光層と、発光層に電流を供給する電極と、発光層から放射された光を外部に取り出す光取り出し面と発光層との間に形成され、光取り出し面側に設けられた電極と発光層との間を流れる電流を拡散させるZnTe(亜鉛テルル)からなる電流拡散層と有することを特徴とする半導体発光装置。