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J-GLOBAL ID：200903022432431346

真空蒸着ターゲットおよびそのターゲットを用いた真空蒸着方法

Inventor： 岡 一宏 ,  大橋 豊
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992290306
Publication number (International publication number)：1993195209
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： Aug. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高エネルギビ-ムを集中照射して生じる熱衝撃を繰り返し受けても、粗大な欠落や破壊が生じることなく蒸発が安定にかつ効率良く維持できるタ-ゲットを得ること、ならびに長時間安定にかつ効率良く蒸着が行える真空蒸着方法を得ることを目的とする。【構成】 焼結材であって、構成している焼結粒6の粒径が30μm以下で、かつ10μm以下の焼結粒を50%以上含むか、あるいは焼結粒間の隙間7が100μm以下であることを特徴とする真空蒸着タ-ゲット、およびそのターゲットを用い、タ-ゲットの外形変化量を予測しながらタ-ゲットおよび高エネルギビ-ムの少なくとも一方の位置を移動させ、高エネルギビ-ムの照射位置を制御する真空蒸着方法。

Claim (excerpt)：

粒径30μm以下の焼結粒で構成されかつ粒径10μm以下の微細焼結粒を50%以上含有する焼結材からなる真空蒸着タ-ゲット。