Pat

J-GLOBAL ID：200903022448353094

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： 谷中 真澄 ,  菊池 弘昭 ,  荻原 光彦 ,  浜野 広
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999176674
Publication number (International publication number)：2001007387
Application date： Jun. 23, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 製造効率及び歩留まりの高い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 LEDアレイ100は,高抵抗基板102と半導体層104と半導体層104上にエピタキシャルに形成されたコンタクト層105とを備えている。コンタクト層105には,素子分離領域106上に薄厚部105aが形成されている。したがって,コンタクト層105を介して半導体層104にp型不純物を拡散ドープすると,半導体層104には,高抵抗基板102に達する拡散深さXj2の素子分離領域106と高抵抗基板102に達しない拡散深さXj1の発光部110とが同時形成される。

Claim (excerpt)：

半導体層を備える半導体装置の製造方法であって:前記半導体層上に前記半導体層への所定不純物の進入距離を制御する制御層をエピタキシャルに形成する,第1工程と;前記制御層を介して前記所定不純物をドープし前記半導体層に2以上の不純物ドープ領域を形成する,第2工程と;を含むことを特徴とする,半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/22

FI (2)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/22 T

F-Term (10)：

5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA72 ,  5F041CA74 ,  5F041CB24 ,  5F041FF13