13族窒化物結晶の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001195510
Publication number (International publication number)：2002241112
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Aug. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】結晶性が良好である窒化ガリウム等の13族窒化物結晶を危険性の少ない条件で容易に製造できることを目的とする。特に13族窒化物結晶の合成において、溶液合成を目的とする。【解決手段】13族窒化物結晶の製造方法であって、13族元素を含む金属及び/又は化合物とその5倍モル以上のアルカリ金属アミドとをアンモニア雰囲気下で加熱処理することにより溶融したアルカリ金属アミドに13族元素を含む金属及び/又は化合物を接触させることにより結晶性のいい13族窒化物結晶を提供する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種類の13族元素を含む金属及び/又は化合物とアルカリ金属アミドとをアンモニア雰囲気下で加熱処理する13族窒化物結晶の製造方法であって、アルカリ金属アミドは13族元素を含む金属及び/又は化合物の5倍モル以上であり、溶融したアルカリ金属アミドに13族元素を含む金属及び/又は化合物を接触させることを特徴とする13族窒化物結晶の製造方法。

IPC (5)：

C01B 21/06 , C01B 21/072 , C30B 11/06 , C30B 19/02 , C30B 29/38

FI (5)：

C01B 21/06 A , C01B 21/072 A , C30B 11/06 , C30B 19/02 , C30B 29/38 D

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CD05 , 4G077EA03 , 4G077MB12 , 4G077MB35 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

立方晶窒化ホウ素の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-334364 Applicant：昭和電工株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

GaN SYNTHESIS BY AMMONOTHERMAL METOHD

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