半導体集積回路及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256424
Publication number (International publication number)：1999097533
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】VLSIの多層配線用層間絶縁膜において、配線パターンの配線間の溝部の容量を低減するため低誘電率でかつ高信頼性,高生産性の膜で充填し、半導体素子の動作速度の高速化を可能とする。【解決手段】層間絶縁膜を(1)緻密性高品位のシリコン酸化膜(SiO<SB>2 </SB>)41、(2)多孔質のシリコン酸化膜(SiOx;x<2)42、(3)緻密性高品位のシリコン酸化膜(SiO<SB>2 </SB>)43の3層膜の構造とする。高密度プラズマCVD法のプロセス条件を変更するのみで連続成膜が可能であり、CMP(超精密化学的機械的研磨)を適用して平坦化できる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜において、配線パターンの配線間の溝部にシリコン酸化膜を主成分とする多孔質層を介在させたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 M , H01L 21/316 M , H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体集積回路装置とその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-264140 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-020857 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-311059

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