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J-GLOBAL ID：200903022471142009

窒化ガリウム系発光素子および製造法

Inventor： 宮田 邦夫 ,  今井 秀秋
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077251
Publication number (International publication number)：1993283745
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 紫外〜可視領域の窒化ガリウム系半導体薄膜発光素子を得ること。【構成】 特定のサファイア基板上にn+ 型窒化ガリウム半導体層を有し、その上に単結晶窒化ガリウム系半導体薄膜からなる発光層を少なくとも一つ有する紫外〜可視発光素子。

Claim (excerpt)：

サファイアR面から、サファイアc軸のR面射影を回転軸として9.2度回転させた面を基板面として、その上に直接形成されたn+ 型窒化ガリウム系半導体層を有し、さらにn型単結晶窒化ガリウム系半導体層およびp型あるいはi型からなる単結晶窒化ガリウム系半導体層からなる発光層を少なくとも一つ有し、その発光層に電圧を印加するために所望の部位に電極を具備してなることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/86