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J-GLOBAL ID：200903022490774288

スピネル型構造リチウムマンガン酸化物系リチウム二次電池

Inventor： 芳尾 真幸 ,  野口 英行
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998330887
Publication number (International publication number)：2000156228
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【構成】本発明の目的は、新規なリチウム二次電池を提供することにある。【解決手段】一般式[Li](8a)[LiXMn2-X-Y-ZNiy□Z](16d)O4(32e)(0.01≦X≦0.15,0.01≦Y≦0.20,0.0≦Z≦0.02, □は空孔を表し、( )内にスピネル構造のサイト位置を示す)で表されるスピネル型結晶構造のリチウムマンガン酸化物を正極に用いることを特徴とするリチウム二次電池。

Claim (excerpt)：

一般式[Li](8a)[LiXMn2-X-Y-ZNiy□Z](16d)O4(32e)(0.01≦X≦0.15,0.01≦Y≦0.20,0.0≦Z≦0.02, □は空孔を表し、( )内にスピネル構造のサイト位置を示す)で表されるスピネル型結晶構造のリチウムマンガン酸化物を正極に用いることを特徴とするリチウム二次電池。

IPC (3)：

H01M 4/58 ,  C01G 45/00 ,  H01M 10/40

FI (3)：

H01M 4/58 ,  C01G 45/00 ,  H01M 10/40 Z

F-Term (21)：

4G048AA04 ,  4G048AB05 ,  4G048AC06 ,  4G048AD06 ,  5H003AA04 ,  5H003BB05 ,  5H003BC01 ,  5H003BC06 ,  5H003BD00 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL02 ,  5H029AL06 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM07 ,  5H029DJ16 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ13