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J-GLOBAL ID：200903022512955354

高度に配向された磁気薄膜、これを用いた記録媒体、変換器、デバイス、および製造方法

Inventor：
ランベス,デーヴィッド・エヌ

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ローリン,デーヴィッド・イー

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ゴング,ヘング

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ヤング,ウェイ

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ズー,ジー

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Applicant, Patent owner：
カーネギー-メロン ユニバーシティ

About カーネギー-メロン ユニバーシティ


Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000519886
Publication number (International publication number)：2001523032
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： Nov. 20, 2001
Summary：
【要約】本発明は、膜の結晶構造において長距離の整列を有する高度に配向された膜を有する磁気および磁気光学的記録媒体、およびこれから構築された変換器およびデータ記憶デバイスを提供する。記録媒体は、(1010)結晶集合組織を有するCo系材料、例えばCoまたは1つまたはそれ以上のCo合金からなる磁気記録層、基体、fcc構造および(110)結晶集合組織を有し、基体と磁気記録層との間に配置されている第1の下層を含む。また、bcc構造および(112)結晶集合組織を有する第2の下層が、磁気記録層と第1の下層との間に配置されている。特に、(110)Si単結晶基体がfcc構造を有する非酸化のある種の金属、例えばAg、Cu、Al、およびCu、およびL10およびL12構造等のfcc誘導体構造である場合、これはSi表面でエピタキシャル成長することができる。
Claim (excerpt)：
基体と;(101 ̄0)結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているCoまたはCo合金膜と;(i)面心立方構造および(110)結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも1つの第1の下層、および(ii)体心立方構造および(112)結晶集合組織を有し、前記第1の下層と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも1つの第2の下層を有する下層構造と、を含む記録媒体。
IPC (11)：
G11B 5/64 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/667 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/85 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 521 ,  G11B 11/105 526 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
FI (11)：
G11B 5/64 ,  G11B 5/127 K ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/667 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/85 Z ,  G11B 11/105 506 Z ,  G11B 11/105 521 B ,  G11B 11/105 526 C ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
F-Term (32)：
5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006CB01 ,  5D006FA09 ,  5D033BA03 ,  5D075EE03 ,  5D075FF02 ,  5D075FF12 ,  5D075FG12 ,  5D075GG02 ,  5D093AA05 ,  5D093BC07 ,  5D093BD01 ,  5D093JA01 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA11 ,  5D112BA02 ,  5D112BB05 ,  5D112BD03 ,  5D112BD04 ,  5D112FA02 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049BA08 ,  5E049BA23 ,  5E049DB02 ,  5E049DB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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