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J-GLOBAL ID：200903022520108423

プラズマ装置

Inventor： 田中 栄
Applicant, Patent owner： 田中 栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997363082
Publication number (International publication number)：1999144892
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【目的】液晶表示装置に用いられている薄膜トランジスタ素子を形成するプラズマCVD装置を大型化するときに問題となる、成膜の不均一性、薄膜トランジスタ界面のイオンダメージ、高速成膜による絶縁膜中の固定電荷の増大などを低減し、超大型アクティブマトリックス液晶表示装置の量産を実現する。【構成】ガラス基板に対向する放電電極が複数の電極から構成されており、それぞれの電極は、互いに極性の異なる高周波電圧を印加され横方向の放電を生じるように配置されている。反応ガスは、電極と電極のあいだから放出される。横電界の放電プラズマ中に放出されたガスは、プラズマ反応を生じた後ガラス基板側の方向に拡散し、ガラス基板に堆積する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板をのせるステージと前記ステージに水平に対向している放電電極から構成されているプラズマ発生装置において、前記放電電極が、複数の電極から構成されており、それぞれの電極は互いに極性の異なる高周波電圧を印加されステージに対して水平な横電界を形成し、横方向の放電が生じることを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205