Pat

J-GLOBAL ID：200903022522402132

液相エピタキシャル成長方法

Inventor： 羽木 良明
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992011452
Publication number (International publication number)：1993201791
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長用単結晶基板の再利用を可能にし、基板材料のロスを減少させる。【構成】 厚みの大きい単結晶原料を基板として使用してエピタキシャル成長し、成長後基板とエピ製品を分離することにより、基板の再使用を可能にする。【効果】 従来に比べて、多量の製品を少ない単結晶原料で製造できるので、液相エピタキシャル成長方法として利用すると非常に効果的である。

Claim (excerpt)：

スライド法による化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方法において、厚み600μm以上の単結晶基板を用いることを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。

IPC (3)：

C30B 19/12 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208