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J-GLOBAL ID：200903022523726667

半導体製造装置及び半導体製造方法

Inventor： 河田 良信 ,  番條 敏信
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993120009
Publication number (International publication number)：1994333833
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板支持体の下面への不要物の侵入を抑制する。【構成】 真空ポケット13を減圧することにより、半導体基板8がステージ10の下面に吸引保持された状態で、半導体基板8の被処理主面14に化学気相成長による処理が行われる。このとき、不活性ガス供給装置24から供給される不活性ガスが、管流路43、不活性ガス導入孔52を経て、基板保持面11の外側部分である最外円周端面31と半導体基板8の被保持主面12との間隙である不活性ガス噴出すき間32に導入される。この不活性ガスは不活性ガス噴出すき間32から更に、反応室6へ噴出する。不要物である反応副生成物34は、この噴出する不活性ガスの流れに阻まれて、基板保持面11の内側には侵入しにくい。【効果】 反応副生成物の堆積による半導体基板の吸引保持力の低下が抑えられるので、製造装置の稼働率および製品の歩留まりが向上する。

Claim (excerpt)：

所定の反応ガスが供給される供給孔と反応に使用されたガスが排気される排気孔とを有する反応室と、この反応室に配設され、半導体基板を保持する基板保持面とこの基板保持面に囲まれ外部の減圧手段に連通されたポケットとを有する基板保持手段と、この基板保持手段の前記ポケットの周囲領域に配設された不活性ガス流出孔と、を備える半導体製造装置。