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J-GLOBAL ID：200903022529268687
窒化物半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005344169
Publication number (International publication number)：2007150075
Application date： Nov. 29, 2005
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：
【課題】 SiC基板を用いることにより、基板の裏面に一方の電極を形成し、垂直型の発光素子としながら、基板側に進む光も有効に利用することにより、外部量子効率を向上させることができる構造の窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 SiC基板1上に、少なくとも発光部が形成される活性層5を含む窒化物半導体積層部9が設けられ、SiC基板1の裏面および半導体積層部9の表面側に、一対の上部電極11および下部電極12がそれぞれ設けられている。そして、この活性層5が、発光波長をλ、半導体層の屈折率をn(高屈折率層の屈折率がn1、低屈折率層の屈折率がn2)として、高屈折率層51と低屈折率層52とがそれぞれλ/(4n)の厚さで交互に積層される構造になっている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
SiC基板と、該SiC基板上に設けられ、少なくとも発光部が形成される活性層を含む窒化物半導体積層部と、前記SiC基板の裏面および前記半導体積層部の表面側にそれぞれ設けられる一対の電極とを有し、前記活性層が、発光波長をλ、半導体層の屈折率をnとして、高屈折率層と低屈折率層とがそれぞれλ/(4n)の厚さで交互に積層される構造を有する窒化物半導体発光素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (8)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA88
, 5F041CB15
