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J-GLOBAL ID：200903022532007193
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997046202
Publication number (International publication number)：1997219541
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低動作電流で動作する、信頼性の高い窒化物半導体系発光素子を提供すること【解決手段】 基板上に活性層を含むダブルヘテロ接合を構成するように積層されたGaN系半導体層と、このGaN系半導体層上に形成されたGaN系半導体からなる電流阻止層とを備える窒化物半導体発光素子。
Claim (excerpt)：
基板上に活性層を含むダブルヘテロ接合を構成するように積層されたGaN系半導体層と、このGaN系半導体層上に形成された電流阻止層とを備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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