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J-GLOBAL ID：200903022532093529

半導体ウエハ基板の再生法および半導体ウエハ基板再生用研磨液

Inventor： 原 宣宏 ,  鈴木 哲雄 ,  高田 悟 ,  井上 秀敏
Applicant, Patent owner： コウベ プレシジョン インク ,  株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 小谷 悦司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999238801
Publication number (International publication number)：2000138192
Application date： Aug. 25, 1999
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 使用済みの半導体ウエハ基板を再生する際に、該ウエハ基板の厚さ減少量を最小限に抑えて再生回数を通常の2倍以上に増大することのできる再生法を提供すること。【解決手段】 金属膜と絶縁膜を含む表面被膜層を有する半導体ウエハ基板を再生する方法で、下記工程を含むところに特徴を有している。1)化学エッチング剤を使用し、前記ウエハ基板材自体を実質的に溶解しない様に前記金属膜の全てと絶縁膜の少なくとも一部を除去する化学エッチング工程、2)化学エッチングに引き続き、残留する絶縁膜および基板材表面の変質層を除去する化学機械研磨工程、および3)上記化学機械研磨工程に引き続き、前記基板の少なくとも一方の面を仕上げ研磨する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハ基板の再生法。

Claim (excerpt)：

金属膜と絶縁膜を含む表面被膜層を有する半導体ウエハ基板を再生する方法であって、下記工程を含むことを特徴とする半導体ウエハ基板の再生法。1)化学エッチング剤を使用し、前記ウエハ基板材自体を実質的に溶解しない様に前記金属膜の全てと絶縁膜の少なくとも一部を除去する化学エッチング工程、2)化学エッチングに引き続き、残留する絶縁膜および基板材表面の変質層を除去する化学機械研磨工程、および3)上記化学機械研磨工程に引き続き、前記基板の少なくとも一方の面を仕上げ研磨する工程。

IPC (4)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (5)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/306 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ウエハーまたは基板材料の再生方法および再生設備
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041904   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭53-142168