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J-GLOBAL ID：200903022534636368

太陽電池

Inventor： 三木 一司 ,  坂本 邦博 ,  坂本 統徳
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993113905
Publication number (International publication number)：1994302840
Application date： Apr. 16, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 長波長域の光を有効に利用できる太陽電池を得る。【構成】 n型半導体層2とp型半導体層5の接合部に、量子井戸層3を設けて長波長域の光も吸収するようにして光電変換効率の高い太陽電池を構成したことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

n型半導体層,p型半導体層,i型半導体層のうちいずれか2つの半導体層が接合部で接合され、入射光を光電変換して前記2つの半導体層にそれぞれ接続された電極より電力として取り出す太陽電池において、量子井戸層または超格子層を前記接合部に設けたことを特徴とする太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-107588
  
• 特開昭57-001268
  
• 特開昭62-112383